半導體摻雜技術是半導體器件的核心技術之一。盡管半導體摻雜技術看起來好像很高深，但日常生活中用到半導體器件的設備卻隨處可見，比如智能手機、電視機、LED燈、激光器等。

李京波和團隊助手正在進行激光實驗。

　　“新型半導體材料的摻雜機理研究是目前光電技術、凝聚態(tài)物理、新能源等領域的前沿熱點問題，對此我們開展了相關的基礎研究，試圖尋找關鍵科學問題的答案。”李京波說道。

　　據(jù)了解，以半導體激光器外延生長、摻雜技術等科學問題研究為支撐，在大功率半導體激光器芯片關鍵技術等方面，李京波團隊近來取得了多項創(chuàng)新成果：開發(fā)出六千瓦納秒脈沖激光器，平均功率最高達到了6000W，比目前國際上同類指標高2000W；首次研發(fā)出大功率半導體激光器芯片，芯片單巴功率超過160瓦，壽命超過1萬小時。 

現(xiàn)場實驗激光打穿鋼板。

　　中科院半導體研究所研究員李京波介紹說，“基礎研究是創(chuàng)新的根基，也是工業(yè)裝備升級的支撐，掌握了光纖激光器的基本原理，就可以突破大功率脈沖激光器的技術瓶頸。”

　　此外，李京波團隊已經(jīng)將此次獲獎項目的部分成果成功轉(zhuǎn)化為高功率脈沖激光器產(chǎn)業(yè)化應用。他們在南昌經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)的支持下，創(chuàng)辦了南昌中科創(chuàng)譜激光科技有限公司，預計2018年該公司的銷售收入將突破1億元。