據(jù)科技部消息，在國家973計劃、國家自然科學基金委重大項目等支持下，中國科學院半導體研究所牛智川研究員團隊深入研究銻化物半導體材料的基礎物理、異質(zhì)結低維材料外延生長和光電器件的制備技術等，突破了銻化物量子阱激光器的刻蝕與鈍化等核心工藝技術。

         在此基礎上，研究團隊創(chuàng)新設計金屬光柵側向耦合分布反饋（LC－DFB）結構，成功實現(xiàn)了2μm波段高性能單模激光器，邊模抑制比達到53dB，是目前同類器件的最高值；而且輸出功率達到40mW，是目前同類器件的3倍以上。在銻化物量子阱大功率激光器方面， FP腔量子阱大功率激光器單管和巴條組件分別實現(xiàn)1.62瓦和16瓦的室溫連續(xù)輸出功率，綜合性能達到國際一流水平并突破國外高端激光器進口限制性能的規(guī)定條款。

          該研究成果攻克了短波紅外激光器領域關鍵技術，在危險氣體檢測、環(huán)境監(jiān)測、醫(yī)療與激光加工等諸多高新技術產(chǎn)業(yè)具有非常廣闊的應用價值。