8月20日，2025年中國(guó)科學(xué)院院士增選推薦工作已經(jīng)結(jié)束。經(jīng)中國(guó)科學(xué)院學(xué)部主席團(tuán)審議，中國(guó)科學(xué)院黨組審定，確認(rèn)2025年中國(guó)科學(xué)院院士增選有效候選人639人。根據(jù)《中國(guó)科學(xué)院院士增選工作實(shí)施辦法（試行）》的規(guī)定，中國(guó)科學(xué)院將有效候選人名單予以公布。

山東大學(xué)徐現(xiàn)剛在列。

徐現(xiàn)剛，男，59歲，山東大學(xué)講席教授、博士生導(dǎo)師，現(xiàn)任山東大學(xué)晶體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任、新一代半導(dǎo)體材料研究院院長(zhǎng)。教育部“長(zhǎng)江計(jì)劃”特聘教授，國(guó)家杰出青年科學(xué)基金獲得者，獲得全國(guó)優(yōu)秀科技工作者。曾任國(guó)務(wù)院學(xué)位委員會(huì)委員、國(guó)家“863”計(jì)劃半導(dǎo)體照明工程重大項(xiàng)目總體專家組專家，享受國(guó)務(wù)院政府特殊津貼。

徐現(xiàn)剛教授自2000年開(kāi)始進(jìn)行寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅單晶的研究，在碳化硅生長(zhǎng)機(jī)理、高純半絕緣創(chuàng)制、裝備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化方面取得了系列創(chuàng)造性成果。針對(duì)碳化硅單晶“長(zhǎng)不出、長(zhǎng)不好、難加工”的重大挑戰(zhàn)，提出了成核控制、能級(jí)補(bǔ)償和位錯(cuò)復(fù)合的學(xué)術(shù)思想，發(fā)展了氣相單晶生長(zhǎng)和寬禁帶半導(dǎo)體能級(jí)調(diào)控理論，先后突破了2-12英寸碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)，在我國(guó)首次攻克了高純半絕緣碳化硅晶體制備系列技術(shù)壁壘，獲得了高純半絕緣碳化硅，應(yīng)用于雷達(dá)系統(tǒng)的核心器件，已全面列裝到殲-20戰(zhàn)機(jī)、空警500A預(yù)警機(jī)、航空母艦和東風(fēng)導(dǎo)彈等我軍主力裝備。專利成果先后轉(zhuǎn)讓天岳先進(jìn)和南砂晶圓等龍頭企業(yè),培養(yǎng)了本領(lǐng)域一批產(chǎn)業(yè)領(lǐng)軍人才，打破國(guó)外封鎖，實(shí)現(xiàn)自主可控，為我軍武器裝備建設(shè)做出重大貢獻(xiàn)。承擔(dān)科技部重大攻關(guān)***任務(wù)、核心電子器件重大專項(xiàng)、973計(jì)劃、重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃及自然科學(xué)基金等項(xiàng)目。

自1989年至今一直從事化合物半導(dǎo)體薄膜材料外延及器件研究工作，應(yīng)用到半導(dǎo)體激光器、發(fā)光二極管、異質(zhì)結(jié)晶體管等多種半導(dǎo)體器件，攻克了高功率半導(dǎo)體激光器腔面災(zāi)變損傷及熱飽和兩大難題，實(shí)現(xiàn)了砷化鎵基高功率半導(dǎo)體激光外延材料和芯片的國(guó)產(chǎn)化，服務(wù)激光武器等國(guó)家重大工程。

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