“許多的經濟規(guī)模實際上取決于掃瞄器能否達到一定的吞吐量閾值，而這就是我們付出許多心血之處，”Arnold表示。“如果這是一個只要付出大量心力就能解決的問題，我們終將解決這個問題。”

　　然而，如果短期內無法克服吞吐量的問題，芯片制造商們將別無選擇，只能再進一步尋求擴展193 nm ArF光刻技術的替代方法。ArF光刻技術一直是過去十年來的主流途徑。

　　但這樣做的代價不菲。制程工程師們已利用一些技術進行22nm節(jié)點的芯片制造，這些技術包括光學鄰近校正(OPC)、相位移掩膜(PSM)，以及最近的浸入式光刻技術、光源掩膜優(yōu)化和雙重曝光等。使用一組掩膜花費可能就高達2百萬美元以上，是芯片設計實現(xiàn)量產時的最高成本之一。

　　英特爾公司已下注于這項技術了。該公司希望在10nm節(jié)點的關鍵層利用EUV技術作為其主要的光刻技術，但另一方面也研究如何擴展ArF光刻技術至10nm的方法，根據(jù)英特爾公司研究員Vivek Singh表示。

　　但英特爾必須很快地作出決定，究竟要不要為10nm制程建立兩套設計規(guī)則──一套用于EUV，另一套則用于ArF？或是只選用其中一種？Singh補充道，“這就跟錢有關了。”

　　英特爾的另一位研究人員Mark Bohr最近告訴我們，英特爾公司在擴展193nm浸入式光刻至10nm節(jié)點上已經得到令人振奮的結果了，但他并未透露進一步的細節(jié)。

　　歐洲微電子研究中心(IMEC)一直是研究EUV光刻技術的旗艦中心，去年7月宣布開始采用ASML試產工具曝光EUV晶圓。但IME也進行其它應急措施；CEO Luc Van den Hove最近表示，IMEC將采用ASML最新的193nm浸入式光刻工具來處理光學光刻開發(fā)作業(yè)；一旦面臨EUV無法用于14nm節(jié)點的情況下，這將可作為一項備用計劃。

　　但在14nm及更先進制程，采用光學浸入式光刻技術的雙重圖形方法無法提供足夠的解析度來寫入光罩特色；有時還必須使用到三倍、四倍或什至五倍圖形。

　　但以往只需要使用一個光罩的關鍵層，現(xiàn)在卻得使用多達五個光罩──這將會為任何設計增加相當大的成本。但至于費用貴到什程度會成為問題，現(xiàn)在也還不清楚，因為EUV本身就不便宜。一些設備市場分析師指出，生產EUV工具的花費可能高達1億美元以上。

　　根據(jù)KLA的Haas表示，EUV技術的開發(fā)困境可能是'噩夢'一場，挑戰(zhàn)著業(yè)界供應鏈的根本經濟學。Haas警告，如果EUV光刻工具的吞吐量無法達到每小時超過30片晶圓，記憶體芯片制造商仍可能以該技術實現(xiàn)量產，但一般代工廠、邏輯芯片供應商以及其他廠商將被迫采用替代方案。這種分歧將迫使KLA及其他工具供應商以較銷售預期更少的產量來攤銷EUV光罩偵測工具及其它設備的開發(fā)成本，最終導致成本更高，而使?jié)撛谫I主因天價而怯步或撤銷購買計劃。

　　Haas認為，ASML公司最終將解決光源問題，并讓EUV工具達到可進行商用生產的吞吐量。

　　“我很樂觀，而且我們也應該要樂觀面對。因為我們都靠這項技術了。EUV光刻技術在經濟上勢在必行。”

　　到了2015年時，我們就會知道是采取這種或哪一種方式了。

　　但以往只需要使用一個光罩的關鍵層，現(xiàn)在卻得使用多達五個光罩──這將會為任何設計增加相當大的成本。但至于費用貴到什程度會成為問題，現(xiàn)在也還不清楚，因為EUV本身就不便宜。一些設備市場分析師指出，生產EUV工具的花費可能高達1億美元以上。

　　根據(jù)KLA的Haas表示，EUV技術的開發(fā)困境可能是'噩夢'一場，挑戰(zhàn)著業(yè)界供應鏈的根本經濟學。Haas警告，如果EUV光刻工具的吞吐量無法達到每小時超過30片晶圓，記憶體芯片制造商仍可能以該技術實現(xiàn)量產，但一般代工廠、邏輯芯片供應商以及其他廠商將被迫采用替代方案。這種分歧將迫使KLA及其他工具供應商以較銷售預期更少的產量來攤銷EUV光罩偵測工具及其它設備的開發(fā)成本，最終導致成本更高，而使?jié)撛谫I主因天價而怯步或撤銷購買計劃。

　　Haas認為，ASML公司最終將解決光源問題，并讓EUV工具達到可進行商用生產的吞吐量。

　　“我很樂觀，而且我們也應該要樂觀面對。因為我們都靠這項技術了。EUV光刻技術在經濟上勢在必行。”

　　到了2015年時，我們就會知道是采取這種或哪一種方式了。

　　但以往只需要使用一個光罩的關鍵層，現(xiàn)在卻得使用多達五個光罩──這將會為任何設計增加相當大的成本。但至于費用貴到什程度會成為問題，現(xiàn)在也還不清楚，因為EUV本身就不便宜。一些設備市場分析師指出，生產EUV工具的花費可能高達1億美元以上。

　　根據(jù)KLA的Haas表示，EUV技術的開發(fā)困境可能是'噩夢'一場，挑戰(zhàn)著業(yè)界供應鏈的根本經濟學。Haas警告，如果EUV光刻工具的吞吐量無法達到每小時超過30片晶圓，記憶體芯片制造商仍可能以該技術實現(xiàn)量產，但一般代工廠、邏輯芯片供應商以及其他廠商將被迫采用替代方案。這種分歧將迫使KLA及其他工具供應商以較銷售預期更少的產量來攤銷EUV光罩偵測工具及其它設備的開發(fā)成本，最終導致成本更高，而使?jié)撛谫I主因天價而怯步或撤銷購買計劃。

　　Haas認為，ASML公司最終將解決光源問題，并讓EUV工具達到可進行商用生產的吞吐量。

　　“我很樂觀，而且我們也應該要樂觀面對。因為我們都靠這項技術了。EUV光刻技術在經濟上勢在必行。”

　　到了2015年時，我們就會知道是采取這種或哪一種方式了。