生長晶體一般需要2周或者更長的時間。在晶體生長期間，坩堝雜質(zhì)可能會進入到熔體中，然后進入晶體。若用Czochralski晶體生長法制備直徑大于 6in的單晶毛坯，并且要求沒有過大應力和結晶斷口，則要攻克許多技術難關。例如，在Nd:YAG晶體生長過程中產(chǎn)生一個貫穿毛坯晶體中心的高應力核心區(qū) 域。毛坯中心的這種殘余應力會產(chǎn)生不希望出現(xiàn)的波前畸變，因此限制了晶體的尺寸。

    陶瓷燒結法比Czochralski晶體生長法有很多優(yōu)點。首先是將高純度YAG納米粉末形成所要求的形狀，然后在真空中燒結成陶瓷，整個過程只需 24h。此外，陶瓷產(chǎn)品的尺寸只受生產(chǎn)設備的限制。陶瓷所具有的優(yōu)良特性類似于激光玻璃， 而陶瓷的導熱率和玻璃相比，有明顯的增加，且有更強的耐熱損傷性能。目前獲得的這種具有高導熱率和優(yōu)質(zhì)光學質(zhì)量的大激光增益介質(zhì)，預期會對高平均功率激光 系統(tǒng)以及對未來高能存儲激光系統(tǒng)產(chǎn)生重要的影響。與熔液生長技術相比，陶瓷燒結技術能保持更高的摻雜濃度，這在微芯片激光器應用方面是非常重要的。晶粒尺 寸小能使高濃度釹摻雜所產(chǎn)生的應力，以短距離在晶粒邊界處減輕。此外，在母體基質(zhì)材料中摻雜物質(zhì)的濃度在最終的陶瓷成品中保持不變，這一點優(yōu)于 Czochralski法。這是因為在Czochralski晶體生長中，較多的摻雜物質(zhì)的離子通常被阻擋滯留在晶體。